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提高中頻爐起動(dòng)能力的措施
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提高中頻爐起動(dòng)能力的措施
1、采用撞擊式自激起動(dòng)的中頻電爐，可增大起動(dòng)電容器的電容量及提高起動(dòng)電容器的充電電壓。在起動(dòng)晶閘管耐壓允許的前提下，提高充電電壓是有效簡便的辦法。起動(dòng)晶閘管支路中的限制di/dt用的空心電感不宜過大，適當(dāng)減小此電感，并串入適量磁環(huán)可提高起動(dòng)能力。在整流電壓Ud波形的**處觸發(fā)起動(dòng)晶閘管，即在**瞬時(shí)Ud下起動(dòng)，可有效提高起動(dòng)能力，可采用整流晶閘管與起動(dòng)時(shí)艟發(fā)來實(shí)現(xiàn)。 當(dāng)負(fù)載等效直流電阻過小即負(fù)載回路品質(zhì)因數(shù)口值較?。ㄈ绺袘?yīng)透熱、熔煉爐帶鐵坩堝）時(shí)，會出負(fù)載衰減振蕩電壓波形。在其負(fù)半負(fù)載電路Q值小時(shí)的中頗電壓褒域波形周時(shí)，波形的幅度已很小，不可能產(chǎn)生觸發(fā)脈沖，必須在其正半周波形時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)脈沖。對此，可通過逆變觸發(fā)電路中的脈沖分配電路，如雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的預(yù)置使逆變電路中的晶閘管V3、V4先獲得脈沖而起動(dòng)。
2、具有電流負(fù)反饋的中頻電爐，可適當(dāng)提高起動(dòng)時(shí)的直流電壓Ud，以減小較低U值的紋波對起動(dòng)能力的影響。
3、在水冷換爐開關(guān)處（即感應(yīng)圈回路中）串入適量磁環(huán)，可增大起動(dòng)瞬間振蕩電路的品質(zhì)因數(shù)Q，增多負(fù)載回路衰減振蕩電壓波形的個(gè)數(shù)，利于起動(dòng)。
4、直流平波電抗器Ld的電感量很大，預(yù)磁化電流又較小時(shí)，影響負(fù)載能量的及時(shí)補(bǔ)充而使起動(dòng)失敗。用增大IA的氣隙或不用1-2餅繞組（切不可長時(shí)間短接一部分繞組）來減小Ld的電感量以臨時(shí)應(yīng)付重載（諸如爐壁變薄、帶鐵坩堝、凍爐）起動(dòng)困
贍。零起動(dòng)方式的中頻電爐，可瞬時(shí)短接一下Ld的一餅繞組使負(fù)載建立振蕩電壓，以利于起動(dòng)。
5、在逆變脈沖形成電路輸入端的信號變壓器的=l飼繞組兩端并聯(lián)一小電容器（0.033．0.lyF），可以消除起動(dòng)過程的干擾脈沖。
6、采用電容升壓的負(fù)黎回路，當(dāng)重載起動(dòng)困難時(shí)t可暫時(shí)短接全部串聯(lián)電容器組，使負(fù)載回路振蕩曩事降低，逆變晶閘管的反向電壓時(shí)間t8增大，有利于起動(dòng)。
7、增大引前觸發(fā)時(shí)間‘阻，提高逆變晶閘管的換流能力。
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